专利名称：等离子体处理装置以及等离子体处理方法专利类型：发明专利发明人：饭岛悦夫,土屋浩申请号：CN02132282.1申请日：20020904公开号：CN1480995A公开日：20040310
摘要：本发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法。如果终点检测器17(EPD)检测出终点(t5)，则断开从高频电源12来的RF功率(底部RF)的同时(t5)，停止向晶片W背面供给He气14(t5)，蚀刻不进行，而且，在可能维持等离子体的范围内，在控制从高频电源11来的RF功率(顶部RF)的状态下(t5)，断开高压直流电源13(HV)，由此可以一边正确控制蚀刻量，一边抑制微粒的吸附。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
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