专利名称：非易失性存储器及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：刘红涛,黄莹,魏文喆,许锋申请号：CN201910728547.6申请日：20190808公开号：CN110428859A公开日：20191108
摘要：本发明涉及一种非易失性存储器及其制造方法。所述非易失性存储器包括存储单元阵列和未带有存储单元的中间串选择管。存储单元阵列包括多个存储串，每个存储串包括串联的第一子串和第二子串，所述第一子串和第二子串分别包括多个存储单元。中间串选择管，连接于所述第一子串和所述第二子串之间。本发明在存储串之间连接不带有存储单元的中间串选择管，在编程期间，通过对该中间串选择管施加较高的电压，可以提高非选中存储单元的沟道电势，降低编程操作对非选中存储单元的干扰。
申请人：长江存储科技有限责任公司
地址：430205 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
国籍：CN
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：骆希聪
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