专利名称：双向触发二极管芯片专利类型：实用新型专利
发明人：王英杰,徐敏杰,刘宪成,崔建申请号：CN201420290981.3申请日：20140530公开号：CN204088329U公开日：20150107
摘要：本实用新型提供一种双向触发二极管芯片，包括：形成于一衬底正面上的外延层；形成于所述衬底与外延层之间的埋层；形成于所述外延层中的基区、二极管掺杂区、电阻区；形成于所述基区中的发射区；以及贯穿所述外延层并延伸至衬底中的隔离槽。
申请人：杭州士兰集成电路有限公司
地址：310018 浙江省杭州市杭州(下沙)经济技术开发区东区10号路308号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：郑玮
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