一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路及其实现方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201610325873.9 （22）申请日 2016.05.17 （71）申请人 福州大学

地址 350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区

（10）申请公布号 CN10572A

（43）申请公布日 2016.08.24

（72）发明人 魏榕山;李睿;王珏

（74）专利代理机构 福州元创专利商标代理有限公司

代理人 蔡学俊

（51）Int.CI

H03K19/21;

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路及其实现方法

（57）摘要

本发明涉及一种基于忆阻器与MOS管的异

或门逻辑电路，包括第一忆阻器M1与第二忆阻器M2，第一忆阻器M1的负端作为第一输入端V1与第一PMOS管P1的源极连接，第二忆阻器M2的负端作为第二输入端V2与第二PMOS管P2的源极连接；还包括第一NMOS管N1与第二NMOS管N2，第一忆阻器M1的正端、第二忆阻器M2的正端、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管

N1与第二NMOS管N2的栅极互相连接；第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1与第二NMOS管N2的漏极互相连接并作为输出端Vout，第一NMOS管N1的源极与第二NMOS管N2的源极互相连接且接地；本发明还涉及一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路的实现方法。本发明为忆阻器在逻辑运算中可发挥的作用提供了一种新的思路。

法律状态

法律状态公告日

2016-08-24 2016-08-24 2016-09-21 2016-09-21 2018-10-30

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

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实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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