专利名称：光电子薄膜芯片专利类型：发明专利
发明人：克劳斯·施特罗伊贝尔,拉尔夫·维尔特申请号：CN200580031516.1申请日：20050927公开号：CN101023536A公开日：20070822
摘要：本发明说明了一种光电子薄膜芯片，其具有在薄膜层(2)的有源区(7)中的至少一个辐射发射区域(8)，和设置在辐射发射区域(8)之后的透镜(10，12)，该透镜通过薄膜层(2)的至少一个部分区域构成，其中透镜(10，12)的横向延伸(Φ)大于辐射发射区域的横向延伸(δ)。此外还说明了用于制造这种光电子薄膜芯片的方法。
申请人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
地址：德国雷根斯堡
国籍：DE
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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