专利名称：一种功率器件驱动电路和逆变电路专利类型：发明专利发明人：杨永江
申请号：CN202010527809.5申请日：20200611公开号：CN111585424A公开日：20200825
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种功率器件的驱动电路和逆变电路。本发明具有以小的恢复电流并联SiC二极管，能够在不增加MHz频带噪声的情况下显著降低导通损耗和恢复损耗，有助于降低逆变器的损耗和噪声。本发明提供了一种功率半导体器件的开关电路和逆变电路，该功率半导体器件包括硅IGBT及其IGBT与SiC二极管组合的模块，其中，栅极上的电阻设置为小于栅极下的电阻。
申请人：华芯威半导体科技(北京)有限责任公司
地址：100744 北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街10号院2号楼11层1101
国籍：CN
代理机构：北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：张宇锋
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