专利名称：一种锗-铒掺杂二氧化锡多层复合薄膜及其制备方
法
专利类型：发明专利
发明人：李东珂,夏丽霞,李怡欢,严莲,翟章印,陈贵宾申请号：CN202011575069.9申请日：20201228公开号：CN112538344A公开日：20210323
摘要：本发明公开了一种锗量子‑铒掺杂二氧化锡多层复合半导体薄膜及其制备方法，本发明利用高真空多射频靶磁控溅射系统，在清洗后的衬底上，交替进行铒掺杂二氧化锡子层和非晶锗子层的溅射沉积，将沉积得到的铒掺杂二氧化锡/非晶锗多层复合半导体薄膜在氮气环境中进行热退火处理，使非晶锗子层内锗原子聚集晶化形成锗量子点，得到交替层叠结合在衬底上的锗量子‑铒掺杂二氧化锡多层复合半导体薄膜。本发明采用在铒掺杂二氧化锡半导体薄膜中插入锗量子点层，利用锗量子点的电子强关联特性敏化增强铒发光中心的光学活性，提高其发光效率；通过调节锗量子点的微观尺寸，可以改变其电子关联特性，实现对铒掺杂氧化物半导体材料中铒发光中心的光学调控。
申请人：淮阴师范学院
地址：223300 江苏省淮安市淮阴区长江西路111号
国籍：CN
代理机构：淮安市科文知识产权事务所
代理人：姜华
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