一种制作镍硅化物的方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种制作镍硅化物的方法专利类型：发明专利发明人：鲍宇

申请号：CN201510367130.3申请日：20150629公开号：CN104952800A公开日：20150930

摘要：本发明公开了一种制作镍硅化物的方法，通过应用应力技术，在NMOS和PMOS上沉积具有相反应力的TiN作为NiPt的保护层，在后续的镍硅化物形成过程中，不同的应力经过反应以及相变被记忆下来，使形成的镍硅化物可对NMOS沟道施加拉应力，对PMOS沟道施加压应力，从而避免了在金属硅化物的形成过程中，引入应力层所带来的负面作用，改善了器件的性能；NMOS和PMOS覆盖的NiPt具有不同含量的Pt，可满足器件的不同要求；此外，在NMOS保留的SiN，可在去除其上的NiPt时，避免对S/D带来额外的损害。

申请人：上海华力微电子有限公司

地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

国籍：CN

代理机构：上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

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