专利名称：消除多晶硅刻蚀工艺中多晶硅残余的方法专利类型：发明专利
发明人：束伟夫,荆泉,任昱,张旭升申请号：CN201410714842.3申请日：20141128公开号：CN104465352A公开日：20150325
摘要：本发明公开了消除多晶硅刻蚀工艺中多晶硅残余的方法，涉及微电子领域。该方法为：采用光学线宽测量仪测量多晶硅栅极中原始的底部抗反射层的厚度H1，并设定第一次刻蚀时间；根据设定的第一次刻蚀时间对多晶硅栅极进行第一次刻蚀，并获取第一刻蚀的厚度H2；根据原始的底部抗反射层的厚度H1和第一刻蚀的厚度H2，采用制程控制系统进行监测对所述多晶硅栅极进行第二次刻蚀。本发明在多晶硅栅极刻蚀前，采用光学线宽测量仪测量多晶硅底部抗反射层厚度；通过制程控制系统针对底部抗反射层的厚度，使用相应的刻蚀工艺参数，时时反馈修正刻蚀时间，对多晶硅多晶硅栅极进行刻蚀，达到消除多晶硅刻蚀工艺中多晶硅残余的目的，提高了产品的良率。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海申新律师事务所
代理人：吴俊
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