专利名称：一种沟槽型MOS器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：蒋正洋
申请号：CN201710369652.6申请日：20170523公开号：CN108962989A公开日：20181207
摘要：本发明提供一种沟槽型MOS器件及其制造方法，其中，所述沟槽型MOS器件至少包括：第一导电类型重掺杂衬底及其上的第一导电类型轻掺杂外延层；间隔形成于所述第一导电类型轻掺杂外延层上部的多个第一导电类型源区及多个沟槽；形成于所述沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅；形成于所述第一导电类型轻掺杂外延层上部的第二导电类型轻掺杂体区；形成于所述第二导电类型轻掺杂体区上的元胞区接触孔及覆盖所述元胞区沟槽内多晶硅栅的绝缘介质块；形成于位于所述元胞区的相邻两个第一导电类型源区之间的第二导电类型重掺杂体接触区；形成于所述元胞区接触孔内的金属源极。本发明在保证器件稳定性的同时，提升了器件密度、降低了导通电阻。
申请人：中航(重庆)微电子有限公司
地址：401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人：姚艳
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