专利名称：离子源专利类型：发明专利发明人：川村昌充,山元彻朗申请号：CN2019113753.3申请日：20191227公开号：CN111739774A公开日：20201002
摘要：本发明提供一种离子源，其抑制由正离子引起的热阴极的电子放出部的损耗。离子源(10)采用如下结构，即，具备：等离子体生成容器(20)；热阴极(30)，配置在等离子体生成容器(20)的外侧并朝向等离子体生成容器内放出电子(e)；以及发射极电源(Ee)，向热阴极(30)施加相对于等离子体生成容器(20)为正的直流电压，其中，离子源(10)具备交叉电场形成元件(40)，该交叉电场形成元件在电子(e)从热阴极(30)的电子放出部(30a)到达等离子体生成容器内所经过的区域中的至少一部分区域(R1)中，在与从电子放出部朝向等离子体生成容器内的方向交叉的交叉方向(D)上形成交叉的交叉电场(E1)。
申请人：日新离子机器株式会社
地址：日本京都
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容
Copyright © 2019- sceh.cn 版权所有 湘ICP备2023017654号-4
违法及侵权请联系：TEL:199 1889 7713 E-MAIL:2724546146@qq.com
本站由北京市万商天勤律师事务所王兴未律师提供法律服务