专利名称：双等离子体离子源专利类型：发明专利发明人：威廉·狄贝尔吉利欧申请号：CN200880121971.4申请日：20081022公开号：CN101903970A公开日：20101201
摘要：一种离子源(100)包括第一等离子体腔(102)和第二等离子体腔(116)。第一等离子体腔(102)包括等离子体产生部件(104)和用于接收第一气体的第一进气口(122)，以使等离子体产生部件(104)与第一气体相互作用以在第一等离子体腔(102)中产生第一等离子体，其中第一等离子体腔(102)还限定了用于从第一等离子体引出电子的孔(114)；第二等离子体腔(116)包括用于接收第二气体的第二进气口(118)，其中第二等离子体腔(116)还限定了实质上与第一等离子体腔(102)的孔(112)对准的、用于接收从其中引出的电子的孔(117)，以使电子与第二气体相互作用，以在第二等离子体腔(116)中产生第二等离子体，且第二等离子体腔(116)还限定了用于从第二等离子体引出离子的引出孔(120)。
申请人：艾克塞利斯科技公司
地址：美国马萨诸塞州
国籍：US
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：张成新
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