专利名称：可用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方
法
专利类型：发明专利
发明人：饶峰,任堃,宋志棠,吴良才申请号：CN201010619461.9申请日：20101231公开号：CN102544361A公开日：20120704
摘要：本发明揭示了一种可用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法，所述相变材料为锡、锑、碲三种元素组成的存储材料。所述存储材料中，锡的原子百分比含量为0.1–90％，碲的原子百分比含量为0.1–90％；进一步对相变材料SnxSbTey进行掺杂，掺杂剂量原子百分含量在0-90％之间。所述相变材料在外部能量作用下具有可逆变化；在相变存储中，相变存储器的低阻态对应所述相变材料全部或部分结晶，相变存储器的高阻态对应所述相变材料的非晶态。本发明提出的可用于相变存储的相变材料，具有反复相变的能力。
申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址：200050 上海市长宁区长宁路865号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所
代理人：王松
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