专利名称：气相沉积装置专利类型：发明专利
发明人：若狭加奈子,坂上英和,坪井俊树申请号：CN201180005087.6申请日：20110620公开号：CN102714147A公开日：20121003
摘要：本发明的气相沉积装置(1A)具有：配设有使薄膜进行气相沉积的被处理基板(31)的反应炉(20)；具有导入气体的气体导入口(14)、用于使气体扩散的气体分配空间(13)、穿设有用于将气体分配空间(13)的气体供给至反应炉(20)的内部的多个气体流路(15)的喷板(11)的喷头(10)；用于将反应炉(20)的气体向外部排气的排气口(26)。喷头(10)的气体分配空间(13)是以喷板(11)为底面的空间，且具有远离反应炉(20)的排气口(26)一侧的第一空间(131)、和靠近反应炉(20)的排气口(26)一侧的第二空间(132)。第一空间(131)形成得比第二空间(132)高。
申请人：夏普株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：张鑫
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