（12）发明专利说明书
（21）申请号 CN200910251365.0 （22）申请日 2009.12.03
（71）申请人 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
（10）申请公布号 CN102087960B
（43）申请公布日 2012.06.27
（72）发明人 匡金;王乐;张明敏;邵永军
（74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 李丽
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
有源区的形成方法
（57）摘要
一种有源区的形成方法，包括：提供
依次形成有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；在腐蚀阻挡层上形成硬掩膜层；用干法刻蚀法刻蚀硬掩膜层后，用湿法腐蚀法对硬掩膜层进行横向刻蚀，形成有源区目标图形；以硬掩膜层为掩膜，沿有源区图形刻蚀腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体衬底，形成有源区。本发明通过对硬掩膜层进行湿法腐蚀来打破光刻机工艺能力对有源区最小线宽的限制。 法律状态
法律状态公告日
2011-06-08 2011-06-08 2011-07-20 2011-07-20 2012-06-27 2012-06-27 公开 公开
法律状态信息
公开 公开
法律状态
实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权
专利权人的姓名或者名称、地实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权
专利权人的姓名或者名称、地2017-12-15
址的变更
址的变更
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说明书
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