一种SONOS闪存器件及其编译方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种SONOS闪存器件及其编译方法专利类型：发明专利发明人：顾经纶

申请号：CN2014106511.5申请日：20141117公开号：CN104332471A公开日：20150204

摘要：本发明提供一种SONOS闪存器件及编译方法，SONOS闪存器件包括呈圆柱体结构的衬底以及包覆于衬底的中间部分的栅极；衬底的两侧端部分别为源端和漏端，栅极包括并列的第一硅栅以及第二硅栅，所述第一硅栅与第二硅栅之间设有第一氧化层；其中，第二硅栅与衬底之间依次包括：布置在衬底上的第二氧化层、布置在第二氧化层上的用于存储电荷的氮化硅层、以及布置在氮化硅层上的第三氧化层。该结构可抑制短沟道效应，抵抗阈值电压漂移，同时可有效缩短闪存器件的关键尺寸。本发明中闪存器件的编译方法通过调整栅极以及漏端的电压来协助热电子的运动，提供足够的越过氧化层的能量来完成编译，提高闪存的编译效率，降低编译电流功耗。

申请人：上海华力微电子有限公司

地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

国籍：CN

代理机构：上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

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