具有均流保护的MOSFET并联驱动电路

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201710260601.X （22）申请日 2017.04.20

（71）申请人 天索(苏州)控制技术有限公司

地址 215000 江苏省苏州市相城经济开发区观塘路1号西交大漕湖科技园B幢

（10）申请公布号 CN106972737A

（43）申请公布日 2017.07.21

（72）发明人 朱利东;陈峰

（74）专利代理机构 南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人 陆明耀

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

具有均流保护的MOSFET并联驱动电路

（57）摘要

本发明揭示了一种具有均流保护的

MOSFET并联驱动电路，包括至少一个由一组MOSFET并联形成的并联电路及驱动一组所述MOSFET工作的驱动电路，还包括与每个并联电路匹配的电压采集电路和逻辑或比较电路，每个所述电压采集电路用于采集所述并联电路中的每个MOSFET对应的电压信号，并输送给对应的逻辑或比较电路，所述逻辑或比较电路判断N个电压信号中的一个超过其接收的参考电压时，所述逻辑

或比较电路输出低电平断开对应的驱动电路的驱动信号输出。本发明设计精巧，电路简单，实现了MOSFET并联应用中对单个MOSFET的过流检测和保护，进而实现了MOSFET并联电路的整体保护，从系统保护和可靠性方面来说，进一步完善了MOSFET并联技术和应用，使对该并联技术的过流保护更加全面和系统。

法律状态

法律状态公告日

2017-07-21 2017-07-21 2017-08-15

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

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公开 公开

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权利要求说明书

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说明书

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