图案光阻的微缩制程

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN03120287.X （22）申请日 2003.03.10

（71）申请人 联华电子股份有限公司

地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号

（10）申请公布号 CN1531018A （43）申请公布日 2004.09.22

（72）发明人 张尚文;陈家桢;刘家助;林思闽;陈正中 （74）专利代理机构 上海专利商标事务所

代理人 任永武

（51）Int.CI

H01L21/027; G03F7/00;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

图案光阻的微缩制程

（57）摘要

一种图案光阻的微缩制程，包括：提供一

半导体底材，其上具有一光阻层；藉由一光学微影制程形成多个具有第一线宽的图案光阻于半导体底材上；进行一酸化制程以形成一具有酸性物质的扩散层于多个图案光阻上；进行一再烘烤制程以使扩散层内的酸性物质扩散至多个图案光阻中，同时使得酸性物质与位于其扩散深度内的多

个图案光阻进行一链锁反应以形成多个化学反应层于多个图案光阻的表层中，其中，多个图案光阻中的酸性物质的扩散深度是取决于酸化制程的酸性物质的扩散速率；以及进行一再显影制程以去除多个化学反应层并形成多个具有第二线宽的图案光阻于半导体底材上。其中上述的所有制程是藉由临场反应的方式进行的。

法律状态

法律状态公告日

2004-09-22 2004-09-22 2004-12-01 2004-12-01 2006-12-06 2006-12-06 2018-01-19

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利申请权、专利权的转移

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利申请权、专利权的转移

权利要求说明书

图案光阻的微缩制程的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

图案光阻的微缩制程的说明书内容是....请下载后查看