规格PC40EE254、LP（初级电感量:mH）= (VDCmin∗Dmax)/(IPK∗f∗KRP)LP=0.0285969𝐍
5、Ve(实效体积:cm3）=Z∗(((2+KRP)*(2+KRP))/KRP)*(PO/η/F)Ve=1.58085476、NP（初级匝数:T）=（LP∗IPK）/（△B∗Ae）NP=19.3119667、VOR(反射电压：V)=（VDCmin∗Dmax）/(1−Dmax)VOR=12.0506678、n(初次级匝数比）=VOR/(VO+VD)n=2.07770119、NS(次级匝数：T）=NP/nNS=9.2948718
10、NF（辅助绕组匝数）= （VCC+VD）∗NS/（VO+VD）NF=1.282051311、VOR=NP∗(VO+VD)NS ; Dmax(验正）=VOR/（VOR+VDCmin）VOR=12.050667Dmax=0.412、IS（次级平均电流：A）=PO/VO/（1−Dmax）IS=6.666666713、IP（次级峰值电流：A）=IS/nIP=3.2086745
规格PC40EE30/30/7-Z规格此公式选择磁芯规格RM10此公式确定初级最少匝数
此公式确定次级匝数
此公式确定辅助绕组匝数
此公式主要是验收正以上取值是否正确
14、Ds(次级线径:mm3）=IS√（ 4/（3.14∗JS））DS=3.762217715、Dp（初级线径:mm3）=IP√（ 4/（3.14∗JP））DP=1.810759816、DSn(次级线根数）=DS/DFDSn=9.405544117、DPn(初级线根数）=DP/DFDPn=4.5268994
18、Bmax(饱和磁通密度验证)=(LP∗IPK)/(NP∗Ae)Bmax=0.2
MOSTFET的额定耐压:
Vmos=Vdcmax+Vsnubber+Vstary inductance+Vmargin
根据相关资料有:
Vsnubber=1.5*1.4*Vor=2.1VorVdcmax=Vacmax*1.414
Vdcmin=Vacmin*1.414-Vdc link voltage rippleVor=Ns*(Vout+Vf)
Dmax=(Vout+Vf)/(Vout+Vf+Vmin/Ns))
此公式确定次级线径
此公式确定初级线径
此公式确定次级线根数
此公式确定初级线根数
此公式主要是验收正以上取值是否正确
Vstary inductance：由漏感引起的尖峰电压。
Vdc link voltage ripple：直流涟波电压Vf：为输出整流二极管的压降
设定的参数Ae实效截面面积（根据Ve查磁芯资料）40VD二极管导通电压（0.2V-0.8V)0.8JP初级电流密度（4-6A/MM2）4JS次级电流密度（4-6A/MM2）4DF高频单支线径（0.1-0.8)0.4Ae40Ve1960Ae59.7Ae98Ve4000Ve4310压。
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