专利名称：具有连接PMOS区域栅极结构的接触插塞的半导体
元件
专利类型：发明专利
发明人：陈士程,何立轩,吕佐文,梁世豪,吴宗训,庄博仁,许启
茂
申请号：CN201911033932.5申请日：20191028公开号：CN112736079A公开日：20210430
摘要：本发明公开一种一种具有连接PMOS区域栅极结构的接触插塞的半导体元件，该半导体元件主要包含一基底，该基底包含一NMOS区域以及一PMOS区域，一栅极结构由NMSO区域至PMOS区域沿着第一方向延伸于基底上以及一第一接触插塞设于栅极结构上，其中第一接触插塞由一分隔NMOS区域及PMOS区域的交界线偏向PMOS区域。半导体元件另包含一第一源极/漏极区域沿着第二方向延伸于栅极结构两侧的NMOS区域上以及一第二源极/漏极区域沿着第二方向延伸于栅极结构两侧的PMOS区域上。
申请人：联华电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹市
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：陈小雯
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