可变电容器阵列的装置和方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：可变电容器阵列的装置和方法专利类型：发明专利

发明人：D.V.格普塔,赖志国,G.诺拉,A.马登申请号：CN201480039717.5申请日：20140527公开号：CN105379114A公开日：20160302

摘要：在本文中提供可变电容器阵列的装置和方法。在某些配置中，装置包括可变电容器阵列和偏置电压产生电路。可变电容器阵列包括多个金属氧化物半导体(MOS)可变电容器单元，其包括以反并联和/或反串联配置实现的一对或多对MOS电容器(121、122、123、124)。在某些实现方式中，MOS可变电容器单元在可变电容器阵列的射频(RF)输入与RF输出之间彼此并联地电连接。偏置电压产生电路产生用于偏置MOS可变电容器单元的MOS电容器的偏置电压(VB1、VB2)，使得电容的电压系数保持为低并且减小电路中的非线性度。

申请人：纽伦斯股份有限公司

地址：美国马萨诸塞州

国籍：US

代理机构：北京市柳沈律师事务所

代理人：吕晓章

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