专利名称：一种新型耐高温的碳化硅器件封装结构专利类型：实用新型专利发明人：洪思忠,胡羽中申请号：CN202020183304.7申请日：20200219公开号：CN211265442U公开日：20200814
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种新型耐高温的碳化硅器件封装结构。该新型耐高温的碳化硅器件封装结构包括：金属外壳、电极管脚、键合线、芯片、上纳米银焊层、覆铜陶瓷基板、下纳米银焊层；所述覆铜陶瓷基板通过下纳米银焊层连接于金属外壳的内侧底部；所述芯片通过上纳米银焊层连接于所述覆铜陶瓷基板上；所述芯片通过键合线与所述电极管脚连接。本实用新型解决目前钎焊与塑封工艺造成碳化硅器件无法工作在200℃以上的高温环境下的技术问题。
申请人：华芯威半导体科技(北京)有限责任公司
地址：100744 北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街10号院2号楼11层1101
国籍：CN
代理机构：北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：张宇锋
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