一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法[发明专利]

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专利名称：一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法专利类型：发明专利

发明人：余学功,陈林,杨德仁,路景刚申请号：CN201210031456.5申请日：20120213公开号：CN102560685A公开日：20120711

摘要：本发明公开了一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法，包括：(1)将所述的单晶硅片经清洗、晾干，于60-80℃条件下在由重量比为10-20∶0.8-12∶100-200的NaOH、异丙醇和去离子水组成的混合溶液中浸泡腐蚀20-400s，得预处理后的单晶硅片；(2)将预处理后的单晶硅片清洗后，用常规单晶硅制绒工艺进行制绒。本发明的方法成功的将金刚线切割的单晶硅片应用于现有的制绒工艺中进行制绒，绒面大小合适、分布更均匀，且不增加制绒时间和成本。

申请人：浙江大学

地址：310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

国籍：CN

代理机构：杭州天勤知识产权代理有限公司

代理人：胡红娟

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