第1章习题
习题1.1
给定三个矢量A、B和C如下
:Aexey2ez3.
Bey4ezCex5ez2 ,,
解:
(1)aAAAex2ey3ez1222(3)21(ex2ey3ez) 14(2)ABex6ey4ez1262(4)253 (3)A•B(ex2ey3ez)•(4eyez)11
A•B11arccos135.5 AB1417ABAB11(5)ABAcosABA
17BBA(4)arccosex(6)AC1ey20eyez34ex13eY10eZ 2ez
5ex(7)BC05418ex5eY20eZ 02 A•(BC)(ex2eY3eZ)•(8ex5eY20eZ)42
ex AB1eyez02310exeY4eZ 41 (AB)•C(10exeY4eZ)•(5ex2eZ)42
ex5ey0ez2(8)(AB)C10142ex40eY5eZ
exA(BC)18ey25ez355ex44eY11eZ 20习题1.4给定两矢量 Aex2ey3ez4和 Bex4ey5ez6,求它们之间的夹角和 A在 B上的分量。
解:
A2232(4)229 B42(5)26277
AB(ex2ey3ez4)(ex4ey5ez6)31
则A与B之间的夹角为
ABA在B上的分量为
arcisABAB31arcos0131 2977ABB31ABAcosABAA3.532
77BAB
习题1.9用球坐标表示的场Eer25 ,2r(1)求在直角坐标中点(3,4,5)处的E和Ex;
(2)求在直角坐标中点(3,4,5)处E与矢量Bex2ey2ez构成的夹角。 解:
(1)由已知条件得到,在点(-3,4,-5)处,
rx2y2z2(3)242(5)252 E25250.5 2r50e2525r3e4exyz5 Eer23rr102则 Ex(2)其夹角为
310232 20EB
arccosEBEB192arccos153.6 31022Aerez2z验证散r5z0rz4习题1.17在由、和围成的圆柱形区域,对矢量
度定理。
证:
在圆柱坐标系中
1A(2)(2z)32
z425所以, AdVdzd(32)d1200
V000又
AdSAdSAdSSAdSS上S下S柱面2525AezddA00z4040z024(ez)ddA005e5dzd
则
205024da205025dzd1200AdV1200AdS
VS22Aexexeyz沿xy平面上的一个边长为2的正方形回路的线xyz习题1.21求矢量
积分,此正方形的两边分别与x轴和y轴相重合。再求A对此回路所包围的曲面积分,验证斯托克斯定理。
证:
2AdlAC020y02exdxA022x22eydyA02y22(ex)dxA0x0(ey)dy
xdx22dyxdx0dy8000exAxAx ex(eyyAyezzAzAyAxAAAzAy)ey(xz)ez() yzzxxy ex2yzez2x由闭合曲线l所包围的面对A的面积分为:
AdSs0220(ex2yzez2x)ezdxdy20202xdxdy8
因为
sAdSAdl
l即验证了斯托克斯定理。
第2章习题
习题2.15
半径为a的球形体积内充满密度为p(r)的体电荷。若已知球形体积内外的
电位移分布为D=erDr=er(r3+Ar2),0 由D,得到 1d2(r)D2(rDr) rdr则在0ra区域, (r)在ra区域, 1d2322r(rAr)5r4Ar 2rdr 1d2(a5Aa4(r)2r0 2rdrr习题2.20在半径a=1mm的非磁性材料圆柱形实心导体内,沿z轴方向通过电流I=20A, 试求:(1)p=0.8mm处的B;(2)p=1.2mm处的B;(3)圆柱内单位长度的总磁通。 解: (1)圆柱形导体内的电流密度为 I206 A/m2 Jez2eze6.3710z32a(110)利用安培环路定律HdlI得 c1B0.8mme0Je3.21032(2)利用安培环路定律得 T IB1.2mme0e3.331032(3)总磁通 T a112iBidS0Jd0J02222106Wba0120(1103)27410 22(1103)2习题2.21下面的矢量函数中哪些可能是磁场?如果是,求出其源量J。 (1)H=epap,B=uoH 圆柱坐标 (2)H=ex(-ay)+eyax,B=u0H;(3)H=exax-eyay,B=u0H;(4)H=ear,B=u0H球坐标系 解: (1)在圆柱坐标系中 1B(B)0(a2)2a00 可见,矢量Hea不是磁场矢量。 (2)在直角坐标系中 B(ay)(ax)0,可见,矢量H是磁场矢量。其源分布 xyexeyezez2a z0JHxyayax(3)在直角坐标系中 B(ax)(ay)0,可见,矢量H是磁场矢量。其源分布 xyexJHxaxeyyayez0 z0(4)在球坐标系中 B1B1(ar)0,可见,矢量H是磁场矢量。其源分布 rsinrsinerrersine1JH2eracote2a rsinr00ar2sin 习题2.26 解: D(1)由H,得 tHxDJdHexez0.15cos(9.36108t3.12y)txyzyyHx00ez0.468sin(9.36108t3.12y)A/m2exeyez 故 Jd0.468A/m2 D,B0H,得 (2)由Ht11By1D1JdBezez0.8cos(3.77102t1.26106x)t00xyz0x0x0BY0ez0.802sin(3.77102t1.26106x)A/m2exeyez 故 Jd0.802A/m2 (3)Dr0Eex58.8510120.9106cos(3.77102t2.81106z) DJdex15103sin(3.77102t2.81106z)t故 A/m2 Jd15103A/m2 J(4) E16e0.110sin(377t117.1z) x75.810 DEex8.8510121.72103sin(377t117.1z) DJdex15.261015377cos(377t117.1z) tex57.531013cos(337t117.1z)A/m2 习题2.30 解: (1)B1在界面上法线方向的分量为 B1nB1en(exey2ez3)(ex0.64ey0.6ez0.48)0.641.21.442(2) T B1tB12B12n12232223.16T (3)利用磁场边界条件,得 B2nB1n2(4)利用磁场边界条件,得 T B2t 32B1t03.164.74120T 第3章习题 习题3.3 解: (1) 由E可得到 a时, E0 a2a2a时, EeA12coseA12sin (2) 圆柱体为等位体且等于0,所以为导体制成,其电荷面密度为 sen0Ea0eEa20Acos 习题3.5 证: 根据高斯定律DdSq,得 SD4r3rr,则D1,E11 rR0时。4rD133r03r023334R0R0R0D2,则D22,E2 rR0时。4rD23030r23r2则中心点的电位为 (0)E1drE2dr0R0R0R003Rr0drdrR3r23r000 RR6r0302020 习题3.8 解: 根据高斯定律DdSq,得同轴线内、外导体间的电场强度为 SE()内、外导体间的电压为 ql2 UEdabbql2adqlbln 2a则同轴线单位长度的电容为 C则同轴线单位长度的静电储能为 Qql2 UUln(b/a)ql211bql2WeEdV2d4ln(b/a) 2V2a2 2习题3.11 解: (1) 设同轴电缆中单位长度的径向电流为I,电流密度 Je介质中的电场 I2(ac) JE1eI21I22I1(ab) JE2e2(bc) 而 U0babE1dE2da21lnbIcln a22bI212U0 2ln(b/a)1ln(c/b)得到两种介质中的电流密度和电场强度分别为 Je12U02ln(b/a)1ln(c/b)(ac) E1e 2U02ln(b/a)1ln(c/b)1U02ln(b/a)1ln(c/b)(ab) E2e(bc) (2) 同轴电缆中单位长度的漏电阻为 RU02ln(b/a)1ln(c/b) I212 由静电比拟,可得同轴电缆中单位长度的电容 C212 2ln(b/a)1ln(c/b) 习题3.19 解: (1)同轴线的内外导体之间的磁场沿方向,根据两种磁介质的分界面上,磁场法向方向 连续,则两种磁介质的磁感应强度B1B2BeB,注意磁场强度H1H2。 利用安培环路定律, 当a时,2B00I2 a2(a) 所以,B00I22a当ab时,(H1H2)I, 即,(B11B22)I 所以,Be12I(12)(ab) 同轴线中单位长度储存的磁场能量为 1aB021bB21bB2Wm2ddd0aa202122(2)由Wm0I12Ibln162(12)a22 12LI,得到单位长度的自感为 2L2Wm012b ln28(12)aI 第4章习题 习题4.9 解: (1)瞬时坡印廷矢量为 S(z,t)E(z,t)H(z,t)ez265cos2(tkz) W/m2 (2)平均坡印廷矢量 *1SavReEHez132.5 W/m2 2 (3)流入的净功率 PSendSS(en)S2650.25cos2(t)cos2(t0.42) z0Senz10.25 习题4.17 证: 由Ej0H得磁场复矢量 exH11j0E1j0xExexH21j0E2j0xEx1ey1eyyEyezez0eyE1mejkz z0Ez yEy0exE2mej(kz) z0Ez平均坡印廷矢量 *1021S1avReE1H1ezE1m 220*1021S2avReE2H2ezE2m 220合成波电场和磁场复矢量 EE1E2exE1mejkzeyE2mej(kz) HH1H2ex0E2mej(kz)eyE1mejkz 0所以合成波平均坡印廷矢量 *10212SavReE1H1ez(E1mE2m) 220 由此可见 SavS1avS2av 即证。 第5章习题 习题5.6 解: (1)传播方向为ez k2000, 故(2)电场可表示为 20006109 rad/s f3109 Hz 2Eexjey104ej20z 是左旋圆极化波。 j20z1104je HezErxeye0120(3) (4) *1SavReEHez2.651011 W/m2 2 即 Pav2.651011 W/m2 习题5.9 解: 在自由空间,波的频率为 3108f1.5109 Hz 00.2在理想介质中,波长0.09m,此时波的相速为 vpvpf1.51090.091.35108 m/s 另外,vp故 110r0cr2 crvp31081.351084.94 2 习题5.12 解: (1)由给定的磁场得到 61083108 Hz 频率 f22相位常数 2 rad/m 波长 22m1m 26108相速 vp3108 m/s 2(2)与磁场相伴的电场强度 E(z,t)0H(z,t)ez(exey)ez0.8120cos(6108t2z) 8(exey)96cos(610t2z)(3)瞬时坡印廷矢量为 S(z,t)E(z,t)H(z,t)ez153.6cos2(6108t2z) W/m2 习题5.14 解: (1)由磁场的表达式可得 krkxxkyykzzxy0.5z kx,ky,kz0.5 则 kexeyez0.5 3k(1)21(0.5)2 rad/m 2波传播方向的单位矢量为 221kenexeyez k333(2) vp224m k3/2331089f108 Hz 4/34 (3) 31E(z,t)0H(z,t)en(exeyez)106costxyz22221exeyez37733317377106exeyez36(4)平均坡印廷矢量 V/m 598cos10t(xy0.5z)32*1SavReEH2117Re377106exeyez2365j(xy0.5z)3106exeyezej(xy0.5z)e3211.71010exeyez2 W/m2 第6章习题 习题6.2 解: (1)电场的复数形式 j(z900)E(z)ex100eey200ejz 由Ej0H exHz1j0E(z)j0x1eyyezz A/m ExEy01e200ejze900)xy100ej(z0(也可用H1ezE式求解磁场H,结果一样) 0将其写成瞬时值表达式 H(z,t)ReH(z)ejt1ez)ex200cos(ty100sin(tz)0(2)入射到理想导体会产生全反射,反射波的电场z0为 E900)ejzrex100ej(zy200e 与其相伴的反射波磁场为 H110rezErezx200ejey100ej(z90 00总的电场 EEEe0e1rxj200sinzej90yj400sinz 总磁场 HHH101rex400coszej90y200ecosz 0(3)理想导体上的电流密度为 JsenH1z0ej900ex0.53ey1.06 A/m 习题6.4 解: 110120 1022060 240A/m 反射系数为 211 213222 213透射系数为 故反射波的电场振幅为 ErmEim33.3 V/m 透射波的电场振幅为 ErmEim66.6 V/m 习题6.7 解:z0区域,本征阻抗 2 透射系数为 2r21200602r22 222606.67101 211206031092203108rad/m 相位常数 22200r2则 电场:E2exEimcos(t2z)ex6.67cos(3109t20z) V/m 1磁场: H2ezE2ey0.03cos(3109t20z) A/m 2 习题6.13 解:电场振幅最大值相距1.0m,则 21.0,得2.0m 因电场振幅第一最大值距离介质表面0.5m,即()处,故反射系数0。 4S1211 由 S12131 3又 可得到 201r2 201r22r2 11/34 11/3 因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容