专利名称：SOI衬底的制造方法专利类型：发明专利
发明人：花冈一哉,津屋英树,永井雅晴申请号：CN201010167278.X申请日：20100420公开号：CN101872740A公开日：20101027
摘要：本发明涉及SOI衬底的制造方法，公开的发明的一个方式，包括：第一工序，即将离子照射到键合衬底来在键合衬底中形成脆化区域；第二工序，即隔着绝缘层贴合键合衬底和支撑衬底；第三工序，即在脆化区域中分离键合衬底来在支撑衬底上隔着绝缘层形成半导体层；以及第四工序，即对于在脆化区域中分离的键合衬底，在氩气氛中进行第一热处理，然后在氧和氮的混合气氛中进行第二热处理，以形成再生键合衬底，其中再次使用再生键合衬底作为第一工序中的键合衬底。
申请人：株式会社半导体能源研究所
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：项丹
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