专利名称：一种金属纳米薄膜浸渍钡钨阴极的制备方法专利类型：发明专利发明人：刘燕文,刘胜英申请号：CN200410101870.4申请日：20041230公开号：CN1801427A公开日：20060712
摘要：本发明一种金属纳米薄膜浸渍钡钨阴极的制备方法涉及微波器件技术领域，是一种大发射电流密度，低蒸发的金属纳米粒子薄膜浸渍钡钨阴极的制备方法。该方法在浸渍钡钨阴极表面沉积上一层厚度为0.1微米－0.6微米的锇、铱、铼、钌或其合金纳米粒子薄膜，纳米粒子直径约为10纳米－100纳米，以达到增大浸渍钡钨阴极发射电流密度，降低阴极蒸发的目的。
申请人：中国科学院电子学研究所
地址：100080 北京市海淀区北四环西路19号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：周国城
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