专利名称:光电转换器件、光电转换器件阵列、光电转换器件
的制造方法以及电子设备
专利类型:发明专利发明人:小野彰
申请号:CN201210075766.7申请日:20120319公开号:CN102693842A公开日:20120926
摘要:本发明涉及光电转换器件、光电转换器件阵列、光电转换器件的制造方法以及电子设备。本发明的光电转换器件包含:设置在基板上的多孔电极和对电极;设置在多孔电极和对电极之间的电解质层;设置在基板的其上设有多孔电极的面上的集电配线;以及设置在基板的光入射侧的光导结构。
申请人:索尼公司
地址:日本东京都
国籍:JP
代理机构:北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人:肖善强
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