一种具有界面栅的SOI功率器件结构[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种具有界面栅的SOI功率器件结构专利类型：发明专利

发明人：胡盛东,陈银晖,金晶晶,朱志,武星河,雷剑梅,周喜川申请号：CN201310572042.8申请日：20131116公开号：CN103560145A公开日：20140205

摘要：本发明公开了一种具有界面栅的SOI功率器件结构,涉及一种半导体功率器件，包括衬底P/N型硅层、有源顶层硅和埋氧化层，栅分别由纵向槽型栅以及埋于埋氧层界面的界面栅所构成；本发明在常规的SOI功率器件基础上，将槽型栅延伸至埋氧层表面，当栅极打开时，界面栅为载流子提供额外的积累型沟道，所以可以有效降低器件导通电阻。同时，界面栅对漂移区的辅助耗尽效应，使得优化的器件漂移区掺杂浓度更高，进一步降低导通电阻。

申请人：重庆大学

地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

国籍：CN

代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司

代理人：赵荣之

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