低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、显示设备[发明专利]

来源：尚车旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、显示设备专利类型：发明专利发明人：李松杉

申请号：CN2017106247.2申请日：20170727公开号：CN107403841A公开日：20171128

摘要：本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管，其包括：基板；栅极，设置于基板上；栅极绝缘层，设置于基板和栅极上；多晶硅层，设置于栅极绝缘层上，多晶硅层上具有凹槽；掺杂多晶硅层，设置于多晶硅层上且具有完全暴露凹槽的通孔；蚀刻阻挡层，设置于栅极绝缘层和掺杂多晶硅层上并填充通孔和凹槽，且具有暴露掺杂多晶硅层的第一过孔和第二过孔；源极和漏极，设置于蚀刻阻挡层上，源极和漏极分别填充第一过孔和第二过孔，以分别与掺杂多晶硅层接触；钝化层，设置于源极、漏极和刻蚀阻挡层上。本发明还提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法及显示设备。本发明能防止源极和漏极与多晶硅层直接接触，从而减小低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流。

申请人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司

地址：430070 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室

国籍：CN

代理机构：深圳市铭粤知识产权代理有限公司

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文