专利名称：多晶硅的刻蚀方法专利类型：发明专利发明人：向磊
申请号：CN202110011318.X申请日：20210106公开号：CN112820640A公开日：20210518
摘要：本发明公开了一种多晶硅的刻蚀方法，针对两部分区域之间具有台阶的多晶硅刻蚀，所述两部分区域包含高压氧化层区域以及多晶硅栅极区域；两部分区域进行多晶硅同步刻蚀时，先通过第一步多晶硅刻蚀工艺形成过渡形貌，然后再通过两次多晶硅刻蚀将高压氧化层区域及多晶硅栅极区域的多晶硅形貌刻蚀到设计状态。
申请人：华虹半导体(无锡)有限公司
地址：上海市浦东新区新吴区新洲路30号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：焦健
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