电子考题

8、晶体三极管具有放大作用时，发射结（ ），集电结（ ）。 9、在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（ ） 10、单相桥式整流电容 波电路输出电压平均在Uo=( )U2

11、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了（ ）电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结加的是（ ）电压。

12、稳压二极管是利用二极管的（ ）特性工作的。

13、晶体管的输出特性主要分为3个区域，即（ ）、（ ）、（ ）。

晶体管用作放大器时工作在（ ）区。

14、某放大电路中，晶体管三个电极电流如图所示，已测出I1=1.5 mA，I2=-0.03 mA，I3= 1.53mA，由此可知：

（1）电极1是（ ），电极2是（ ），电极3是（ ）；

I1 （2）此晶体管电流放大系数β为（ ）；

I3 （3）此晶体管类型是（ ）型。

二、选择题(每空2分，共20分)

I2 1、二极管两端电压大于 电压时，二极管才导通。

A、击穿电压 B、死区 C、导通 D、饱和

2、当温度升高时，二极管的正向电压 ，反向饱和电流 。 A、 增大 B、减小 C、不变 D、 无法判定。

3、 如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为

A、放大状态 B、 截止状态 C、 饱和状态 D、不能确定

4、杂质半导体中的少数载流子浓度取决于 。 A．掺杂浓度 B．工艺 C.温度 D．晶体缺陷 5、硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于 。 A．正向导通状态 B．反向电击穿状态 C．反向截止状态 D．反向热击穿状态

6、测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1所示，应为（ ）管 A．NPN型硅管 B．NPN型锗管 C．PNP型锗管 D．PNP型硅管 7、温度上升时，半导体三级管的 。 A．β和ICBO增大，UBE下降 B．β和UBE增大，ICBO减小 C．β减小，ICBO和UBE增大 ① ③

D．β、ICBO和UBE均增大

-2② -2.2

V -8V 8、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，其两端电压必须 它的稳压值Uz才有导通电流，

V 否则处于 状态。

A、大于 B、小于 C、导通 D、截止 三、推断题（每题5分，共10分）

1．测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。

2． 已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN或PNP）并在圆圈中画出管子。

答案：1、 2、

四、问答题(共10分)

能不能将两个二极管放在一起成为一个三极管？为什么？ 2、硅稳压二极管，稳定电压如图所示，当VI足够大时，计算各VO值。

R R + + + +

8V 8V

VI Vo VI Vo 7.5V 7.5V

五、计算题（共30分，第一题10分，第二题20分）

1、在桥式整流电路中，已知VL=9V，IL=1A。求：

1）电源变压器次级电压V2；

2）整流二极管承受的最大反向电压VRM； 3）流过二极管的平均电流IV。

- -

VO=________________ V

+ R +

8V V I Vo 7.5V - -

VO=________________ V

- - O=_______________

+ R + 8V VI Vo

7.5V - - O=_______________