光电子器件和用于制造光电子器件的方法[发明专利]

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专利名称：光电子器件和用于制造光电子器件的方法专利类型：发明专利发明人：吉多·韦斯

申请号：CN2018800182.6申请日：20180305公开号：CN110383511A公开日：20191025

摘要：本发明涉及一种光电子器件(100)，所述光电子器件具有：半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有有源区域(11)，所述有源区域设置用于发射辐射；介电层(2)；具有第一金属的焊料层(10)，所述焊料层设置在介电层(2)上，其中在焊料层(10)和介电层(2)之间设置有种子层(4)，其中种子层(4)具有第一金属和第二金属，其中第二金属不如第一金属贵重，其中在种子层(4)中第二金属的份额在0.5重量％和10重量％之间，或者在种子层(4)中第一金属与第二金属的比例在95:5至99:1之间。

申请人：欧司朗光电半导体有限公司

地址：德国雷根斯堡

国籍：DE

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

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