专利名称：磁头装置及其制造方法专利类型：发明专利发明人：佐藤明广,佐藤秀治申请号：CN200410057527.4申请日：20040817公开号：CN1591661A公开日：20050309
摘要：本发明提供一种能够改进滑块和支撑部件间的导通性，能够抑制设在上述滑块上的记录及/或再生用的薄膜元件的静电破坏的磁头装置及其制造方法，在通过装置(42)在滑块的滑块接合面上涂布导电性树脂后，再通过装置(42)对上述导电性树脂(40)下的绝缘层(41)外加电压。由此破坏上述绝缘层(41)的绝缘。因此，使上述导电性树脂膜(40)和上述舌片(24a)间的导通性良好，由此提供一种可提高支撑部件和滑块间的导通性，与以往相比，能够有效抑制薄膜元件的静电破坏(ESD)的磁头装置。
申请人：阿尔卑斯电气株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：刘建
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