专利名称：一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法专利类型：发明专利
发明人：贾小氢,杨小忠,王翔,康琳,吴培亨申请号：CN201510115066.X申请日：20150317公开号：CN104630709A公开日：20150520
摘要：本发明公开了一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法，包括以下步骤：（1）靶材选取，选取纯度均为99.999%均匀掺杂的块状Nb和Si作为磁控共溅射的靶材，将靶材放入磁控共溅射室；（2）衬底处理，对衬底依次用超声波、丙酮、酒精和氩离子清洗，放入磁控共溅射室；（3）制备铌硅薄膜，磁控共溅射室的真空度小于等于2×10 Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离，经过一定时间溅射制备薄膜。本发明制备出了符合预期，较为稳定的NbSi超导薄膜，并优化获得了最佳制备条件，为制备高灵敏的超导单光子探测器（SNSPD）奠定了基础。
申请人：南京大学
地址：210093 江苏省南京市汉口路22号
国籍：CN
代理机构：苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：杨林洁
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