专利名称：一种硼硅共掺杂金刚石电极及其制备方法与应用专利类型：发明专利
发明人：唐永炳,胡渊,杨扬,徐梦琦,张文军申请号：CN201811514487.X申请日：20181211公开号：CN111304690A公开日：20200619
摘要：本发明提供了一种硼硅共掺杂金刚石电极及其制备方法与应用，其中硼硅共掺杂金刚石电极包括基体以及设于所述基体上的硼硅共掺杂金刚石层。本发明提供的硼硅共掺杂金刚石电极，通过在金刚石层中掺入硼元素，可有效地提高金刚石层的导电性；而硅元素的掺入，可有效地提高金刚石层的催化活性。因此硼硅共掺杂使得金刚石电极的导电性和催化活性有显著增加，进而提高电催化氮气还原生成氨气的产量。本发明还提供了硼硅共掺杂金刚石电极的制备方法，通过简单的工艺便可制备出催化性能优异的硼硅共掺杂金刚石电极，简化了制备步骤，降低了成本。本发明还提供了将硼硅共掺杂金刚石电极应用于电催化还原氮气中的应用事例。
申请人：深圳先进技术研究院
地址：518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
国籍：CN
代理机构：广州三环专利商标代理有限公司
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