液相法制备纳米磷化铟材料[发明专利]

(12)发明专利申请

(10)申请公布号(10)申请公布号 CN 103663397 A(43)申请公布日 2014.03.26

(21)申请号 2013106522.8(22)申请日 2013.11.30

(71)申请人孙永平

地址116000 辽宁省大连市西岗区黄河路

88号房地产交易中心二楼大连银行(72)发明人孙永平(51)Int.Cl.

C01B 25/08(2006.01)B82Y 40/00(2011.01)

权利要求书1页 说明书1页权利要求书1页 说明书1页

()发明名称

液相法制备纳米磷化铟材料(57)摘要

本发明公开了一种液相法制备纳米磷化铟材料，以InCl3·4H2O和PBr3为原料，LiBH4为还原剂，三辛基磷为溶剂，分别以In和Bi作为催化剂，在300℃下经过溶液-液相-固相方法合成。十四酸作为表面活性剂，十八烯作为溶剂。本发明的有益效果为：溶剂热法除了以上所述的优点外，还能防止有毒物质的挥发，避免了使用有机铟，同时为大规模制备纳米结构的InP提供了可能。

CN 103663397 ACN 103663397 A

权 利 要 求 书

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1.液相法制备纳米磷化铟材料，其特征在于，以InCl3·4H2O和PBr3为原料，LiBH4为还原剂，三辛基磷为溶剂，分别以In和Bi作为催化剂，在300℃下经过溶液-液相-固相方法合成。

2.根据权利要求1所述的液相法制备纳米磷化铟材料，其特征在于，十四酸作为表面活性剂，十八烯作为溶剂。

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CN 103663397 A

说 明 书

液相法制备纳米磷化铟材料

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技术领域

[0001]

本发明涉及材料领域，具体是一种液相法制备纳米磷化铟材料。

背景技术

磷化铟(InP)是一种直接带隙半导体，在室温下它的带宽为1.35eV，并具有较大

的激子波尔半径(AB=14nm)，因而显示出更强的量子限域效应。作为新一代重要的电子功能材料，InP纳米材料具有诸多优越性质，如高热导率、高抗辐射阻抗、高饱和电场电子漂移速度、高载流子迁移率，以及对大于其禁带宽度的光子的吸收系数很大等，在生物传感器、抗辐射太阳能电池、平板液晶显示、光纤通信、激光器芯片和通讯卫星等许多高技术领域均有着广泛应用。所以，如何制备InP纳米材料便成为半导体材料领域的聚焦热点。

[0002]

发明内容

[0003] 本发明的目的是提供一种液相法制备纳米磷化铟材料。[0004] 本发明的技术方案是这样实现的：液相法制备纳米磷化铟材料，以InCl3·4H2O和PBr3为原料，LiBH4为还原剂，三辛基磷为溶剂，分别以In和Bi作为催化剂，在300℃下经过溶液-液相-固相方法合成。十四酸作为表面活性剂，十八烯作为溶剂。[0005] 本发明的有益效果为：溶剂热法除了以上所述的优点外，还能防止有毒物质的挥发，避免了使用有机铟，同时为大规模制备纳米结构的InP提供了可能。具体实施方式

[0006] 下面结合具体实施例对本发明作进一步解释说明。[0007] 实施例1液相法制备纳米磷化铟材料，以InCl3·4H2O和PBr3为原料，LiBH4为还原剂，三辛基磷为溶剂，分别以In和Bi作为催化剂，十四酸作为表面活性剂，在300℃下经过溶液-液相-固相方法合成。

[0008] 实施例2液相法制备纳米磷化铟材料，以InCl3·4H2O和PBr3为原料，LiBH4为还原剂，十八烯作为溶剂，十四酸作为表面活性剂，分别以In和Bi作为催化剂，在300℃下经过溶液-液相-固相方法合成。[0009] 以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

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