（12）发明专利说明
（21）申请号 CN201580028026.X （22）申请日 2015.05.27
（71）申请人 德克萨斯仪器股份有限公司
地址 美国德克萨斯州
（10）申请公布号 CN106463505B
（43）申请公布日 2020.05.08
书
（72）发明人 S·K·海因里希-巴纳;D·P·弗雷特;A·J·察奥 （74）专利代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 徐东升
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
阱电阻和多晶硅电阻
（57）摘要
在所描述的示例中，包含阱电阻(110)的
集成电路(100)具有在阱电阻(110)中的STI场氧化物(108)和电阻虚设有源区(118)。STI沟槽被蚀刻并填充有沟槽填充介电材料。沟槽填充介电材料通过CMP工艺被从有源区(118)的上方去除，留下STI沟槽中的STI场氧化物(108)。随后，掺杂剂被注入阱电阻区中的衬底(102)中以形成阱电阻(110)。
法律状态
法律状态公告日
2017-02-22 2017-02-22 2017-04-26 2017-04-26 2020-05-08
公开 公开
法律状态信息
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法律状态
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
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权利要求说明书
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说明书
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