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SGT MOSFET结构及其工艺制造方法

来源：尚车旅游网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201911005962.5 （22）申请日 2019.10.22 （71）申请人龙腾半导体有限公司

地址 710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区

（10）申请公布号 CN110797412A

（43）申请公布日 2020.02.14

（72）发明人陈桥梁;刘挺;王新;楼颖颖;杨乐

（74）专利代理机构西安新思维专利商标事务所有限公司

代理人李罡

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

SGT MOSFET结构及其工艺制造方法

（57）摘要

本发明涉及一种SGT MOSFET结构及其工

艺制造方法。本发明SGT MOSFET通过在栅极沟槽下方植入P柱构成，通过在Si衬底片表面生长N型外延层，然后刻蚀深沟槽，接着在深沟槽内填充BSG材料并回刻，再通过各向同性腐蚀形成栅极沟槽，接着栅极沟槽内回填HDP并回刻，最后高温退火回流使BSG材料中Boron扩散至深沟槽外围的Si材料中形成P柱。采用本发明所述方法制作的SGT MOSFET，可以在实现较小的器件尺寸

的同时，灵活调节P柱的宽度和浓度，有利于实现电荷平衡，优化器件参数和性能，工艺可控性强。

法律状态

法律状态公告日

2020-02-14 2020-02-14 2020-03-10

法律状态信息

公开公开

实质审查的生效

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公开公开

实质审查的生效

权利要求说明书

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说明书

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