具有温度补偿的自适应栅极驱动电路[发明专利]

来源：尚车旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：具有温度补偿的自适应栅极驱动电路专利类型：发明专利发明人：N·S·梅达,L·K-A·马特申请号：CN201380034402.7申请日：20130726公开号：CN104396143A公开日：20150304

摘要：本发明公开了一种可为MOSFET生成具有温度补偿的栅极偏置电压的自适应栅极驱动电路。该自适应栅极驱动电路可生成具有可变驱动能力的栅极偏置电压以对抗MOSFET在较高温度时较高的栅极漏泄电流。在一种设计中，一种装置包括控制电路和栅极驱动电路。该控制电路生成具有可变频率的至少一个控制信号，该可变频率是基于MOSFET的感测温度来确定的。例如，可基于MOSFET的感测温度来确定时钟分频比，可基于该时钟分频比对输入时钟信号进行分频以获得可变时钟信号，并且可基于该可变时钟信号来生成控制信号。栅极驱动电路基于该控制信号来生成用于MOSFET的偏置电压。

申请人：高通股份有限公司

地址：美国加利福尼亚州

国籍：US

代理机构：上海专利商标事务所有限公司

代理人：唐杰敏

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文