专利名称：用于真空断路器的触头材料及其生产方法专利类型：发明专利
发明人：山本敦史,关经世,草野贵史,奥富功申请号：CN96114328.2申请日：19961213公开号：CN1157467A公开日：19970820
摘要：一种真空断路器的触头材料，包括：一种至少含有Cu的导体组分；和含有至少一种选自由W、Zr、Hf、V和Ti的碳化物组成的组中一种的灭弧组分。触头材料中导体组分的量为40-50％(体积)；触头材料中灭弧组分的量为50-60％(体积)；灭弧组分的粒径为3μm或更少。含有熔化在导体组分中的、选自由Co、Fe和Ni组成的组中的至少一种的烧结激活剂的总量为0.1％或更少。
申请人：东芝株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：甘玲
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