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一种采用等离子体刻蚀制备原子力显微镜探针阶梯型基底的方法[发明专利]

来源：尚车旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种采用等离子体刻蚀制备原子力显微镜探针阶梯

型基底的方法

专利类型：发明专利发明人：崔波,朱晨旭,朱效立申请号：CN202010921867.6申请日：20200904公开号：CN112158794A公开日：20210101

摘要：一种采用等离子体刻蚀制备原子力显微镜探针阶梯型基底的方法，属于微纳机械传感器技术领域。包括以下步骤：1）选用SOI晶片作为原料；2）掩模旋涂完成后，利用光刻机进行曝光，曝光完成后在室温下将样品于专用显影剂下显影，然后将样品坚膜；3）分四步进行反应离子刻蚀。上述一种采用等离子体刻蚀制备原子力显微镜探针阶梯型基底的方法，利用刻蚀图形的不同大小得到不同刻蚀深度，从而通过等离子体刻蚀制造阶梯型结构，实现了等离子体刻蚀的三阶梯AFM探针基底，并且可通过调节曝光图形矩形阵列的边长阶梯深度；具有此种阶梯型基底的AFM探针不会阻挡反射激光的光路。

申请人：杭州探真纳米科技有限公司

地址：310000 浙江省杭州市拱墅区学院北路50号三宝文化创意产业园A栋702室

国籍：CN

代理机构：杭州中港知识产权代理有限公司

代理人：张晓红

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