专利名称：制造薄膜晶体管器件的方法专利类型：发明专利发明人：任东吉
申请号：CN201280028791.8申请日：20120629公开号：CN103608925A公开日：20140226
摘要：本发明内容的实施例了提供制造薄膜晶体管器件的方法，对形成于薄膜晶体管器件中的有源层的周边侧壁有良好的轮廓控制。在一实施例中，一种制造薄膜晶体管器件的方法包括：提供基板，所述基板具有有源层形成于其上，源极-漏极金属电极层设置在所述有源层上，其中有源层为金属氧化物层；进行背沟道蚀刻工艺以于源极-漏极金属电极层中形成沟道；以及在背沟道蚀刻工艺之后进行有源层图案化工艺。
申请人：应用材料公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：陆嘉
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