横向双扩散金属氧化物半导体场效应管[发明专利]

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专利名称：横向双扩散金属氧化物半导体场效应管专利类型：发明专利

发明人：段宝兴,曹震,杨银堂,袁嵩,袁小宁申请号：CN201510112143.6申请日：20150313公开号：CN104733532A公开日：20150624

摘要：本发明提出了一种在横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)在漂移区上基区与漏区之间注入N柱和P柱相间排列形成的超结(Super Junction)，一方面降低了漂移区的导通电阻；另一方面消除了衬底辅助耗尽效应，使得器件具有很高的击穿电压。在器件漂移区上方，隔开一层薄SiO层，从栅极到漏极淀积一层具有高阻、低电子迁移率的SIPOS覆盖层作为电阻场板。SIPOS覆盖层既优化了漂移区表面电场的分布，使得器件的击穿电压增加；又由于在漂移区表面产生了电荷积累，使得器件的导通电阻降低。

申请人：西安电子科技大学

地址：710071 陕西省西安市太白南路2号

国籍：CN

代理机构：西安智邦专利商标代理有限公司

代理人：胡乐

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