锗衬底的生长方法以及锗衬底[发明专利]

来源：尚车旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：锗衬底的生长方法以及锗衬底专利类型：发明专利

发明人：魏星,薛忠营,曹共柏,张峰,张苗,王曦申请号：CN201110215672.0申请日：20110729公开号：CN102383192A公开日：20120321

摘要：本发明提供了一种锗衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底为晶体材料；在支撑衬底表面采用第一温度外延生长第一锗晶体层；在第一锗晶体层表面采用第二温度外延生长第二锗晶体层，所述第一温度低于第二温度。本发明的优点在于提出了一种低高温锗外延结合的生长工艺，首先低温生长一层锗层，锗外延生长速度低，具有二维生长特性且完全弛豫，这层薄的低温锗层具有较多的缺陷，易于应力驰豫以及位错湮灭，随后，再高温生长一层锗外延层，该层生长速度快，能够得到具有高晶体质量且完全驰豫的单晶锗层。

申请人：上海新傲科技股份有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所

地址：201821 上海市嘉定区普惠路200号

国籍：CN

代理机构：上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)

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