非易失性存储器件及其编程方法和包括其的存储器系统[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：非易失性存储器件及其编程方法和包括其的存储器

系统

专利类型：发明专利

发明人：郭东勋,朴相元,郑原宅申请号：CN2012103080.5申请日：20121015公开号：CN103050149A公开日：20130417

摘要：公开了一种编程方法和非易失性存储器件。所述方法包括：接收要被编程在存储器单元中的编程数据；读取存储器单元以便判断擦除状态和至少一个编程状态；执行状态读取操作，其中，所述至少一个编程状态被使用多个状态读取电压读取；和，根据状态读取操作的结果，使用具有不同电平的多个验证电压把编程数据编程在存储器单元中。还公开了使用多个验证电压的方法，基于在编程之后可能影响阈值电压偏移或者代表存储器单元的数据的其他特性的因素来选择所述验证电压。

申请人：三星电子株式会社

地址：韩国京畿道

国籍：KR

代理机构：北京市柳沈律师事务所

代理人：蔡军红

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