专利名称：一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制作方法专利类型：发明专利发明人：郑志星
申请号：CN201210269846.6申请日：20120801公开号：CN102856209A公开日：20130102
摘要：本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的制作方法，包括：制作栅极；制作体区，其中所述体区包含体区弯度，其中制作所述体区包括：在所述半导体衬底上制作阱，其中所述阱为第一掺杂类型；制作基区，其中所述基区为所述第一掺杂类型，所述基区和所述阱部分重叠，且所述基区比所述阱深度浅；以及制作源极区和漏极接触区，其中所述源极区和所述漏极接触区为第二掺杂类型，所述源极区在所述栅极一侧和所述体区相接，所述漏极接触区位于所述栅极的另一侧；其中通过调节所述阱的布图宽度来调节所述体区弯度。
申请人：成都芯源系统有限公司
地址：611731 四川省成都市高新西区出口加工区(西区)科新路8号
国籍：CN
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