专利名称：双层薄膜残余应力测试结构专利类型：发明专利
发明人：李伟华,王雷,张晓强,周再发,刘海韵,孙超申请号：CN201310401239.5申请日：20130905公开号：CN103439031A公开日：20131211
摘要：本发明提出了一种双层薄膜材料残余应力的测试结构，其中测量单元为圆柱支撑的第一层薄膜圆盘结构，在第一层薄膜圆盘平面上覆盖有另一层薄膜材料形成双层薄膜圆盘结构，在第一层薄膜圆盘边缘直径方向上延伸出一个直梁，直梁末端有一投影游标。利用简单双层薄膜圆盘结构并配合投影游标，可以获得MEMS常用薄膜材料的残余应力，并且可以推广到更多层薄膜材料情况下的各层薄膜残余应力测试，测量方法和参数提取的计算方法极其简单。
申请人：东南大学
地址：210096 江苏省南京市四牌楼2号
国籍：CN
代理机构：江苏永衡昭辉律师事务所
代理人：王斌
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