氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极及其制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极及其制备

方法

专利类型：发明专利

发明人：雷乐成,张兴旺,高文立申请号：CN200910156958.9申请日：20091224公开号：CN101721987A公开日：20100609

摘要：本发明公开的氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极，包括钛片基底和原位生长在钛片基底上的氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜层。其制备包括采用阳极氧化法在钛片基底上生长二氧化钛纳米管，然后以化学气相沉积的方法将氟、硼共掺杂到二氧化钛纳米管层中去。本发明的硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极与常规的二氧化钛膜相比，具有更大的比表面积和更强的吸附能力，大大提高了二氧化钛薄膜电极的光催化性能及光电转换效率。氟、硼共掺杂产生了一定的协同作用，能显著提高TiO的可见光催化活性。本发明的氟、硼共掺杂二氧化钛纳米管薄膜光电极可以用于太阳能利用、光电转化以及环境领域的有机污染物的降解。

申请人：浙江大学

地址：310027 浙江省杭州市浙大路38号

国籍：CN

代理机构：杭州求是专利事务所有限公司

代理人：韩介梅

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