专利名称：改善氢化物汽相外延法制备GaMnN铁磁性薄膜晶
体质量的方法
专利类型：发明专利
发明人：于英仪,张荣,修向前,谢自力,俞慧强,郑有炓,施毅,沈
波,顾书林,江若琏,韩平,朱顺明,胡立群,叶宇达
申请号：CN200310112720.9申请日：20031223公开号：CN1555073A公开日：20041215
摘要：改善氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料电炉中，包括N管道和NH管道、设有金属镓源－HCl－N管道和金属锰源－HCl管道，对金属锰源－HCl管道，同时添加Ar气，将金属锰源输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区；金属Ga的HCl载气，金属Mn的HCl载气量范围3－6sccm，Ar气流量为100－300sccm；金属Ga和Mn所在位置为820－860℃，反应区域温度，即蓝宝石α－AlO衬底所在位置的温度为；生长时间为8－20min的条件下可以获得完全的GaN和GaMnN合金薄膜。
申请人：南京大学
地址：210093 江苏省南京市汉口路22号
国籍：CN
代理机构：南京知识律师事务所
代理人：陈建和
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