专利名称:多位铁电性存储器装置及其形成方法专利类型:发明专利
发明人:卡迈勒·M·考尔道,F·丹尼尔·吉利,D·V·尼马尔·拉马斯
瓦米,钱德拉·V·穆利
申请号:CN201480066590.6申请日:20141029公开号:CN105793929A公开日:20160720
摘要:本发明提供多位铁电性存储器装置及其形成方法。一种形成多位铁电性存储器装置的实例性方法可包含:在通孔的第一侧上形成第一铁电性材料;移除一材料以暴露所述通孔的第二侧;及在所述通孔的所述第二侧上以与所述通孔的所述第一侧相比不同的厚度形成第二铁电性材料。
申请人:美光科技公司
地址:美国爱达荷州
国籍:US
代理机构:北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人:路勇
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